ФТТ, 2007, том 49, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние особенностей зонной структуры на термоэлектрические свойства полупроводника

Д.А.Пшенай-Северин, М.И.Федоров

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: d.pshenay@mail.ru, m.fedorov@mail.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию 20 декабря 2006 г.)

Теоретически исследуется зависимость термоэлектрических параметров материала со сложной зонной структурой от энергетического положения зон и эффективных масс носителей тока. Указываются оптимальные значения параметров, приводящие к увеличению термоэлектрической добротности. Полученные результаты проиллюстрированы на примере твердых растворов Mg2Si--Mg2Sn n-типа, в которых сложная структура зоны проводимости является одной из причин повышения термоэлектрической эффективности.

Работа выполнена при поддержке программы Отделения физических наук РАН \glqq Новые принципы преобразования энергии в полупроводниковых структурах\grqq, проект \glqq Термоэлектрики на основе соединений кремния --- новый подход к увеличению эффективности термоэлектрического преобразования энергии\grqq.

PACS: 72.15.Jf, 72.20.Pa

 PDF версия (161Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster