"Физика твердого тела"

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2021
- 1 2 3 4 5 6 7
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Характеристики границы раздела и свойства нанослоев оксидов хрома на арсениде галлия

Ежовский Ю.К.¹, Егоров А.Л.¹

¹Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия Saint-Petersburg State Institute of Technology (Technical University), St. Petersburg, Russia

Saint-Petersburg State Institute of Technology (Technical University), St. Petersburg, Russia

Email: ezhovski@pochta.ru

Поступила в редакцию: 22 ноября 2006 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2007 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты исследования электрофизических свойств ультратонких хромоксидных слоев (наноструктур), синтезированных на поверхности арсенида галлия (100) и (110) методом молекулярного наслаивания (атомно-слоевого осаждения). Установлено влияние технологических факторов и состава слоев на характеристики границы раздела полупроводник-диэлектрик. PACS: 73.40.Qv, 73.63.-b

Нанотехнология в ближайшем десятилетии. Прогноз направления исследований / Под ред. М.К. Роко, Р.С. Уильямса, П. Аливисатоса. Мир, М. (2002)
T. Seidel, A. Londergan, L. Winkler. Solid State Technol. 5, 67 (2003)
В.Б. Алесковский. Вестн. АН СССР 6, 52 (1975)
J. Gelatos, L. Chen, H. Chung, R. Thakur. Solid State Technol. 2, 44 (2003)
Ю.К. Ежовский, А.Л. Егоров. Неорган. материалы 42, 421 (2006)
А.Л. Егоров, Ю.К. Ежовский, П.В. Роговский. ЖПХ 57, 2126 (1984)
Р. Аззам, Н. Башара. Эллипсометрия и поляризованный свет. Мир, М. (1981). 583 с
В.К. Громов. Введение в эллипсометрию. Изд-во ЛГУ, Л. (1986). 192 с
D.A. Holms. Appl. Opt. 6, 168 (1967)
В.И. Нефедов, В.Т. Черепин. Физические методы исследования поверхности твердых тел. Наука, М. (1983). 296 с
В.И. Нефедов. Рентгено-электронная спектроскопия химических соединений. Химия, М. (1984). 256 с
Handbook of X-ray photoelectron spectroscopy. Perkin-Elmer, Edom Prairie, Minnesota (1978). 456 p
J. Lindau, P. Chye, P. Pianettu. J. Vac. Sci. Technol. 5, 1332 (1978)
Е. Николиан, А. Синха. В кн.: Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции / Под ред. Дж. Поута, К. Ту, Дж. Мейера. Мир, М. (1982). С. 484
С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов. Мир, М. (1972). 456 с
Э.Х. Родерик. Контакты металл--полупроводник. Радио и связь, М. (1982). 208 с
А.В. Ляшенко, Ю.А. Тарантов, А.П. Барабан. Поверхность 7, 74 (1982)
R. Hill. Phil. Mag. 23, 59 (1971)
А.П. Алехин, С.В. Белотелов, А.В. Емельянов. Электрон. техника. Сер. Микроэлектроника 1 ( 52), 32 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель