Вышедшие номера
Характеристики границы раздела и свойства нанослоев оксидов хрома на арсениде галлия
Ежовский Ю.К.1, Егоров А.Л.1
1Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
Email: ezhovski@pochta.ru
Поступила в редакцию: 22 ноября 2006 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2007 г.

Представлены результаты исследования электрофизических свойств ультратонких хромоксидных слоев (наноструктур), синтезированных на поверхности арсенида галлия (100) и (110) методом молекулярного наслаивания (атомно-слоевого осаждения). Установлено влияние технологических факторов и состава слоев на характеристики границы раздела полупроводник-диэлектрик. PACS: 73.40.Qv, 73.63.-b