ФТТ, 2007, том 49, выпуск 8

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние волн зарядовой плотности на туннельные спектры сверхпроводника Bi2Sr2CaCu2O8+delta

А.И.Войтенко, А.М.Габович

Институт физики Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина
E-mail: collphen@iop.kiev.ua

(Поступила в Редакцию 29 сентября 2006 г.
В окончательной редакции 13 декабря 2006 г.)

Рассчитаны зависимости дифференциальной туннельной проводимости GS от напряжения V на переходе между нормальным металлом и сверхпроводником с волной зарядовой плотности (CDW). Проводится усреднение по разбросу сверхпроводящей и CDW-энергетическим щелям в пространственно неоднородном в наномасштабе сверхпроводнике. Показано, что в присутствии обоих параметров порядка (ОР) формируется структура \glqq горбик--ямка\grqq (DH) за пределами сверхпроводящей щелевой области GS(V). При фазе CDW-ОР, отличной от pi/2, DH-структура должна наблюдаться только или по преимуществу для одной полярности смещения. Результаты объясняют данные эксперимента для Bi2Sr2CaCu2O8+delta и других высокотемпературных оксидов.

PACS: 71.45.Lr, 74.50.+r, 73.40.Gk, 74.81.-g

 PDF версия (203Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster