ФТТ, 2007, том 49, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Аккумуляционный зарядовый слой ультратонких интерфейсов Cs, Ba/n-GaN(0001): электронные и фотоэмиссионные свойства

Г.В.Бенеманская, М.Н.Лапушкин, С.Н.Тимошнев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: galina.benemanskaya@pop.ioffe.rssi.ru

(Поступила в Редакцию 5 июля 2006 г.
В окончательной редакции 30 августа 2006 г.)

Проведены экспериментальные исследования и теоретические расчеты фотоэмиссии для ультратонких интерфейсов Cs/n-GaN(0001) и Ba/n-GaN(0001). Электронные свойства интерфейсов исследованы in situ методом пороговой фотоэмиссионной спектроскопии в вакууме P~ 5· 10-11 Torr. Обнаружен новый эффект --- появление фотоэмиссии с большим квантовым выходом при возбуждении светом из области прозрачности GaN. Показано, что в результате адсорбции Cs или Ba на n-GaN происходит образование квази-2D электронного канала --- зарядового аккумуляционного слоя непосредственно у поверхности. Изучены фотоэмиссионные спектры и работа выхода как функция толщины Cs- и Ba-покрытия. Установлено, что адсорбция Cs и Ba приводит к резкому понижению работы выхода соответственно, до ~ 1.45 и ~ 1.95 eV. Проведены расчеты спектров фотоэмиссии и получены параметры аккумуляционного слоя --- энергетическая глубина слоя ниже уровня Ферми для различных Cs- и Ba-покрытий. Показано, что энергетическими параметрами аккумуляционного слоя на поверхности n-GaN(0001) можно целенаправленно управлять за счет изменения Cs- или Ba-покрытия. Установлено, что максимальная глубина слоя достигается при цезиевом покрытии ~ 0.5 монослоя.

Работа выполнена при поддержке РФФИ (грaнт N 04-02-17621) и программы \glqq Индустрия наносистем и материалов\grqq (грант N 4 ИН-12.1/005).

PACS: 73.20.-r, 79.60.-i

 PDF версия (191Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster