ФТТ, 2007, том 49, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние давления на электронную структуру купратов в режиме сильных электронных корреляций

В.А.Гавричков, С.Г.Овчинников, Г.В.Ульм

Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук,
660036 Красноярск, Россия
E-mail: gav@iph.krasn.ru

(Поступила в Редакцию 22 августа 2006 г.)

Исследуются эффекты давления в электронной структуре CuO2 слоя для купратов n- и p-типов. Для расчета был использован обобщенный метод сильной связи, учитывающий влияние сильных электронных корреляций на электронную структуру купратов. Результаты исследования свидетельствуют о наличии нетривиальной зависимости от давления самой природы квазичастичных состояний на потолке валентной зоны в купратах p-типа. С ростом давления дырочные состояния в этих материалах уже не являются синглетными состояниями Жайга-Райса, а приобретают комбинированный синглетно-триплетный характер.

Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (грант N 06-02-16100), а также в рамках программы Президиума РАН \glqq Квантовая макрофизика\grqq и комплексного интеграционного проекта СО РАН N 3.4.

PACS: 74.62.Fj, 74.72.-h

 PDF версия (208Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster