ФТТ, 2006, том 48, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Эффекты одноэлектронной зарядки в туннельной структуре на металлическом кластере

В.В.Погосов, Е.В.Васютин, В.П.Курбацкий, А.В.Коротун

Запорожский национальный технический университет,
69063 Запорожье, Украина
E-mail: vpogosov@zntu.edu.ua

(Поступила в Редакцию 18 октября 2005 г.
В окончательной редакции 29 ноября 2005 г.)

Теоретически исследованы эффекты одноэлектронной туннельной зарядки и кулоновской блокады в кластерной структуре (молекулярном транзисторе) с учетом квантования электронных уровней в островковом электроде. Спектр электронов рассчитан для малых кластеров сферической и дискообразной формы. При условии сохранения полной энергии конструкции с учетом контактной разности потенциалов получены уравнения для анализа ее вольт-амперной характеристики. В теорию введены ограничения, связанные с кулоновской неустойчивостью кластера и релаксацией электронов. Для одноэлектронных транзисторов на малых кластерах золота рассчитаны величина щели тока и ее асимметрия по напряжению. С увеличением размера кластера токовая щель меняется немонотонно.

Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки Украины и корпорации Samsung.

PACS: 72.20.Fr, 73.22.Dj, 73.23.Hk

 PDF версия (307Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster