Издателям
Вышедшие номера
Эффекты одноэлектронной зарядки в туннельной структуре на металлическом кластере
Погосов В.В.1, Васютин Е.В.1, Курбацкий В.П.1, Коротун А.В.1
1Запорожский национальный технический университет, Запорожье, Украина
Email: vpogosov@zntu.edu.ua
Поступила в редакцию: 18 октября 2005 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2006 г.

Теоретически исследованы эффекты одноэлектронной туннельной зарядки и кулоновской блокады в кластерной структуре (молекулярном транзисторе) с учетом квантования электронных уровней в островковом электроде. Спектр электронов рассчитан для малых кластеров сферической и дискообразной формы. При условии сохранения полной энергии конструкции с учетом контактной разности потенциалов получены уравнения для анализа ее вольт-амперной характеристики. В теорию введены ограничения, связанные с кулоновской неустойчивостью кластера и релаксацией электронов. Для одноэлектронных транзисторов на малых кластерах золота рассчитаны величина щели тока и ее асимметрия по напряжению. С увеличением размера кластера токовая щель меняется немонотонно. Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки Украины и корпорации Samsung. PACS: 72.20.Fr, 73.22.Dj, 73.23.Hk
  1. K.K. Likharev. Proc. IEEE 87, 606 (1999)
  2. J. von Delft, D.C. Ralph. Phys. Rep. 345, 61 (2001)
  3. И.О. Кулик, Р.И. Шехтер. ЖЭТФ 68, 623 (1975)
  4. Д.В. Аверин, А.Н. Коротков. ЖЭТФ 97, 1661 (1990)
  5. C.W.J. Beenakker. Phys. Rev. B 44, 1646 (1991)
  6. D.V. Averin, A.N. Korotkov, K.K. Likharev. Phys. Rev. B 44, 6199 (1991)
  7. A.N. Korotkov, Yu.V. Nazarov. Physica B 173, 217 (1991)
  8. Л.С. Кузьмин, К.К. Лихарев. Письма в ЖЭТФ 45, 389 (1987)
  9. S.T. Ruggiero, T.B. Ekkens. J. Phys.: Cond. Matter 13, 1819 (2001)
  10. T. Ohgi, H.-Y. Sheng, Z.-C. Dong, H. Nejoh, D. Fujita. Appl. Phys. Lett. 79, 2453 (2001)
  11. T. Ohgi, D. Fujita. Phys. Rev. B 66, 115 410 (2002); Physica E 18, 349 (2003)
  12. T. Ohgi, Y. Sakotsubo, Y. Ootuka, D. Fujita. Appl. Phys. Lett. 84, 604 (2004)
  13. B. Wang, X. Xiao, X. Huang, P. Sheng, J.G. Hou. Appl. Phys. Lett. 77, 1179 (2000)
  14. J.G. Hou, B. Wang, J. Yang, X.R. Wang, H.Q. Wang, Q. Zhu, X. Xiao. Phys. Rev. Lett. 86, 5321 (2001)
  15. М.Я. Азбель. УФН 168, 613 (1998)
  16. D.M. Kaplan, V.A. Sverdlov, K.K. Likharev. Phys. Rev. B 68, 045 321 (2003)
  17. R. Parthasarathy, X.-M. Lin, K. Elteto, T.F. Rosenbaum, H.M. Jaeger. Phys. Rev. Lett. 92, 076 801 (2004)
  18. Р.Б. Лафлин. УФН 170, 292 (2000)
  19. Е.В. Васютин, В.В. Погосов. ФТТ 46, 1861 (2004)
  20. Е.С. Солдатов, В.В. Ханин, А.С. Трифонов, С.П. Губин, В.В. Колесов, Д.Е. Преснов, С.А. Яковенко, Г.Б. Хомутов, А.Н. Коротков. УФН 168, 217 (1998)
  21. L.I. Kurkina, O.V. Farberovich. Solid State Commun. 98, 469 (1996)
  22. В.П. Курбацкий, В.В. Погосов. ФТТ 46, 526 (2004)
  23. D.R. Snider, R.S. Sorbello. Phys. Rev. B 28, 5702 (1983)
  24. А.В. Соколов. Оптические свойства металлов. Наука, М. (1961)
  25. В.П. Курбацкий, В.В. Погосов. Письма в ЖТФ 26, 84 (2000)
  26. V.V. Shorokhov, E.S. Soldatov, O.V. Snigirev. Thin Solid Films 464--465, 445 (2004)
  27. С. Фудзита. Введение в неравновесную квантовую статистическую механику. Мир, М. (1969)
  28. M. Brack, O. Genzken, K. Hansen. Z. Phys. D 21, 65 (1991)
  29. J. Wang, H. Guo, J.-L. Mozos, C.C. Wan, G. Taraschi, Q. Zheng. Phys. Rev. Lett. 80, 4277 (1998)
  30. J. Konig, H. Schoeller. Phys. Rev. Lett. 81, 3511 (1998)
  31. V.V. Pogosov. O.M. Shtepa. УФЖ 47, 1065 (2002); Cond-mat/0310176
  32. А. Модинос. Авто-, термо- и вторично-электронная эмиссионная спектроскопия. Наука, М. (1990)
  33. А.Н. Смогунов, Л.И. Куркина, О.В. Фарберович. ФТТ 42, 1848 (2000)
  34. H.-G. Boyen, A. Ethirajan, G. Kastle, F. Weigl, P. Ziemann, G. Schmid, M.G. Garnier, M. Buttner, P. Oelhafen. Phys. Rev. Lett. 94, 016 804 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.