ФТТ, 2006, том 48, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электретные состояния и фазовый переход в приповерхностном слое в сегнетоэлектрике-полупроводнике TlGaSe2

Мир-Гасан Ю.Сеидов\kern1pt*,**, Р.А.Сулейманов\kern1pt*,**, Р.Хамоев\kern1pt*

* Department of Physics, Gebze Institute of Technology,
41400, Kocaeli, Turkey
** Институт физики Национальной академии наук Азербайджана,
AZ-1143 Баку, Азербайджан
E-mail: smirhasan@gyte.edu.tr

(Поступила в Редакцию 20 июня 2005 г.
В окончательной редакции 27 октября 2005 г.)

Дано первое доказательство существования в сегнетоэлектрике-полупроводнике TlGaSe2 в температурной области T<200 K устойчивых внутренних электрических полей, связываемых с образованием в кристалле остаточной электретной поляризации. Экспериментально установлена существенная зависимость величины пика пироэлектрического тока, регистрируемого в окрестности фазового перехода (ФП) в сегнетоэлектрическую полярную фазу от значения температуры, при которой снималось с образца внешнее электрическое поле при предварительном охлаждении исследуемого кристалла от комнатной температуры. Полученные результаты обсуждены в рамках модели, предполагающей образование в сегнетоэлектрике TlGaSe2 внутренних электретных полей, связанных с зарядами, локализованными на уровнях как в объеме, так и на поверхности кристалла. Обнаружена резкая трансформация указанных полей в узкой области температур вблизи 135 K. На основе полученных фактов сделан вывод о наличии в TlGaSe2 ФП в приповерхностом слое вблизи температуры ~ 135 K.

PACS: 64.70.Rh, 77.22.Ej, 77.80.Bh

 PDF версия (164Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster