Издателям
Вышедшие номера
Электретные состояния и фазовый переход в приповерхностном слое в сегнетоэлектрике-полупроводнике TlGaSe2
Сеидов Мир-Гасан Ю.1,2, Сулейманов Р.А.1,2, Хамоев Р.1
1Department of Physics, Gebze Institute on Technology, Gebze, Kocaeli, Turkey
2Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: smirhasan@gyte.edu.tr
Поступила в редакцию: 20 июня 2005 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2006 г.

Дано первое доказательство существования в сегнетоэлектрике-полупроводнике TlGaSe2 в температурной области T<200 K устойчивых внутренних электрических полей, связываемых с образованием в кристалле остаточной электретной поляризации. Экспериментально установлена существенная зависимость величины пика пироэлектрического тока, регистрируемого в окрестности фазового перехода (ФП) в сегнетоэлектрическую полярную фазу от значения температуры, при которой снималось с образца внешнее электрическое поле при предварительном охлаждении исследуемого кристалла от комнатной температуры. Полученные результаты обсуждены в рамках модели, предполагающей образование в сегнетоэлектрике TlGaSe2 внутренних электретных полей, связанных с зарядами, локализованными на уровнях как в объеме, так и на поверхности кристалла. Обнаружена резкая трансформация указанных полей в узкой области температур вблизи 135 K. На основе полученных фактов сделан вывод о наличии в TlGaSe2 ФП в приповерхностом слое вблизи температуры ~ 135 K. PACS: 64.70.Rh, 77.22.Ej, 77.80.Bh
  1. D.F. McMorrow, R.A. Cowley, P.D. Hatton, J. Banys. J. Phys.: Condens. Matter 2, 3699 (1990)
  2. V.P. Aliev, S.S. Babaev, T.G. Mammadov, M.Yu. Seyidov, R.A. Suleymanov. Sol. Stat. Commun. 128, 25 (2003)
  3. В.П. Гололобов, В.М. Перга, И.Н. Саливонов, Е.Е. Щиголь. ФТТ 34, 1, 115 (1992)
  4. Е.С. Крупников, Ф.Ю. Алиев. ФТТ 30, 10, 3158 (1988)
  5. Н.А. Абдуллаев, Т.Г. Мамедов, Р.А. Сулейманов. ФНТ 27, 8, 915 (2001)
  6. С.Г. Абдуллаева, Н.Т. Мамедов, Ш.С. Мамедов, Ф.А. Мустафаев. Неорган. материалы 25, 11, 35 (1989)
  7. Н.И. Агладзе, Б.П. Антанюк, В.М. Бурлаков, Е.А. Виноградов, Г.Н. Жижин. ФТТ 23, 11, 3289 (1981)
  8. С.Г. Абдуллаева, В.А. Алиев, Н.Т. Мамедов, М.К. Шейнкман. ФТП 17, 10, 1787 (1983)
  9. S.G. Abdullaeva, V.A. Aliev. Phys. Stat. Sol. (a) 69, K33 (1982)
  10. В.М. Фридкин. Сегнетоэлектрики-полупроводники. Наука, М. (1976). 408 с
  11. В.М. Фридкин. Фотосегнетоэлектрики. Наука, М. (1979). 284 с
  12. В.Ф. Косоротов, Л.С. Кременчугский, В.Б. Самойлов, Л.В. Щедрина. Пироэлектрический эффект и его практическое применение. Наукова думка, Киев (1985). 224 с
  13. В.В. Гладкий, С.Н. Каллаев, В.А. Кириков, Л.А. Шувалов, Б. Бржузина. ФТТ 23, 1, 313 (1981)
  14. Incommensurate Phase in Dielectrics 1. Fundaments / Eds R. Blinc, A.P. Levanyuk. North Holland, Amsterdam (1986). P. 43

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.