ФТТ, 2006, том 48, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Люминесцирующие дефекты в наноструктурном диоксиде кремния

В.С.Кортов, А.Ф.Зацепин, С.В.Горбунов, А.М.Мурзакаев *

Уральский государственный технический университет (УПИ),
620002 Екатеринбург, Россия
* Институт электрофизики Уральского отделения Российской академии наук,
620016 Екатеринбург, Россия
E-mail: zats@dpt.ustu.ru

(Поступила в Редакцию 25 июля 2005 г.)

С использованием методов импульсной катодолюминесценции и времяразрешенной фотолюминесценции изучены спектрально-кинетические свойства возбужденных состояний люминесцирующих дефектов типа кислородно-дефицитных центров (ODC) в керамике SiO2. Для наноструктурированных образцов, полученных термическим разложением полисилазана на воздухе, установлена возможность существования модификаций ODC-дефектов, являющихся поверхностными аналогами нейтральных кислородных моновакансий =Si-Si= (=Ge-Ge=) или двухкоординированных атомов кремния =Si: (=Ge:). Фотолюминесценция таких центров эффективно возбуждается в полосах оптического поглощения поверхностных E's-центров и дефектов типа кремниевых кластеров =SiSiSi= и может быть связана с межцентровым переносом энергии в процессе их безызлучательной релаксации. Исследование спектров фотолюминесценции и возбуждения показало наличие термоиндуцированных процессов конверсии различных типов ODC. На основе анализа спектрального состава и кинетики катодолюминесценции установлены закономерности термоиндуцированной трансформации люминесцентных характеристик дефектов при изменении структуры образцов от аморфной до частично-кристаллической.

Настоящая работа выполнена при поддержке US CRDF (Award N REC-005, EK-005-X1) и РФФИ (проект N 05-02-16448).

PACS: 78.67.Bf, 78.55.Hx

 PDF версия (462Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster