ФТТ, 2006, том 48, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Применение синхротронного излучения для исследования механизма увеличения выхода ионов щелочных металлов при электронно-стимулированной десорбции

В.Н.Агеев, Н.Д.Потехина, И.И.Пронин, С.М.Соловьев, Д.В.Вялых\kern1pt*, С.Л.Молодцов\kern1pt*,**

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Институт физики твердого тела Дрезденского технического университета,
01309 Дрезден, Германия
** Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока
Санкт-Петербургского государственного университета,
198504 Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
E-mail: Soloviev@ms.ioffe.rssi.ru

(Поступила в Редакцию 14 июля 2005 г.)

Фотоэлектронная спектроскопия остовных уровней с использованием синхротронного излучения (hnu=140 eV) применена для изучения изменения зарядового состояния ионов Si+ в пленках кремния, осажденных на поверхность грани W(100), после термического отжига подложки. Исследования проводились с целью проверки механизма резкого увеличения выхода ионов Na+ при электронно-стимулированной десорбции (ЭСД) из слоя натрия, адсорбированного на поверхноcти Si/W(100), после ее выскотемпературного отжига. Изучена эволюция спектров W4f7/2 и Si2p и спектров валентной зоны при двух степенях покрытия кремнием (1 и 3 ML) грани W(100) в температурном интервале 300 K. Показано, что отжиг 1 ML Si на W(100) приводит к образованию ковалентной связи W--Si, что может ослабить связь Si--Na и привести к увеличению равновесного расстояния X0, а следовательно, и к росту выхода ЭСД ионов Na+. Изменение фотоэлектронных спектров при отжиге 3 ML Si отличается от результатов отжига 1 ML направлением переноса заряда, что согласуется с противоположным воздействием отжига 3 ML Si/W на выход ионов Na+ при ЭСД.

Работа выполнена при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 03-02-17523) и Российско-германской лаборатории в центре BESSY II.

PACS: 68.43.-h, 68.43.Rs

 PDF версия (392Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster