Фотоэлектронная спектроскопия остовных уровней с использованием синхротронного излучения (hnu=140 eV) применена для изучения изменения зарядового состояния ионов Si⁺ в пленках кремния, осажденных на поверхность грани W(100), после термического отжига подложки. Исследования проводились с целью проверки механизма резкого увеличения выхода ионов Na⁺ при электронно-стимулированной десорбции (ЭСД) из слоя натрия, адсорбированного на поверхноcти Si/W(100), после ее выскотемпературного отжига. Изучена эволюция спектров W4f_7/2 и Si2p и спектров валентной зоны при двух степенях покрытия кремнием (1 и 3 ML) грани W(100) в температурном интервале 300<T<2200 K. Показано, что отжиг 1 ML Si на W(100) приводит к образованию ковалентной связи W-Si, что может ослабить связь Si-Na и привести к увеличению равновесного расстояния X₀, а следовательно, и к росту выхода ЭСД ионов Na⁺. Изменение фотоэлектронных спектров при отжиге 3 ML Si отличается от результатов отжига 1 ML направлением переноса заряда, что согласуется с противоположным воздействием отжига 3 ML Si/W на выход ионов Na⁺ при ЭСД. Работа выполнена при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 03-02-17523) и Российско-германской лаборатории в центре BESSY II. PACS: 68.43.-h, 68.43.Rs

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.