ФТТ, 2005, том 47, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Критический ток туннельных SFIFS-контактов: эффекты спин-орбитального рассеяния

В.Н.Криворучко, Р.В.Петрюк

Донецкий физико-технический институт Национальной академии наук Украины,
83114 Донецк, Украина
E-mail: krivoruc@krivoruc.fti.ac.donetsk.ua

(Поступила в Редакцию 22 июня 2004 г.
В окончательной редакции 10 ноября 2004 г.)

Рассмотрен сверхпроводящий эффект близости между массивным сверхпроводником (S) и тонким слоем нормального ферромагнитного металла (F), содержащего центры спин-орбитального рассеяния. В рамках микроскопической модели сверхпроводящего состояния \glqq грязных\grqq металлов аналитически рассмотрены пределы слабого и сильного эффекта близости в SF-бислое. Вычислен критический ток туннельного SFIFS-перехода (I --- изолятор), берега которого образованы близостными SF-слоями. Исследовано влияние спин-орбитального рассеяния в F-слоях на туннельный ток при параллельной и антипараллельной относительной ориентации намагниченности F-слоев. Показано, что амплитуда сверхтока SFIFS-контакта нетривиально зависит от интенсивности процессов рассеяния: спин-орбитальное рассеяние нелинейно подавляет эффекты обменного поля и при одной и той же концентрации центров рассеяния определяется сопротивлением SF-границы и величиной эффекта близости.

 PDF версия (255Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster