Вышедшие номера
Критический ток туннельных SFIFS-контактов: эффекты спин-орбитального рассеяния
Криворучко В.Н.1, Петрюк Р.В.1
1Донецкий физико-технический институт Национальной академии наук Украины, Донецк, Украина
Email: krivoruc@krivoruc.fti.ac.donetsk.ua
Поступила в редакцию: 22 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2005 г.

Рассмотрен сверхпроводящий эффект близости между массивным сверхпроводником (S) и тонким слоем нормального ферромагнитного металла (F), содержащего центры спин-орбитального рассеяния. В рамках микроскопической модели сверхпроводящего состояния "грязных" металлов аналитически рассмотрены пределы слабого и сильного эффекта близости в SF-бислое. Вычислен критический ток туннельного SFIFS-перехода (I - изолятор), берега которого образованы близостными SF-слоями. Исследовано влияние спин-орбитального рассеяния в F-слоях на туннельный ток при параллельной и антипараллельной относительной ориентации намагниченности F-слоев. Показано, что амплитуда сверхтока SFIFS-контакта нетривиально зависит от интенсивности процессов рассеяния: спин-орбитальное рассеяние нелинейно подавляет эффекты обменного поля и при одной и той же концентрации центров рассеяния определяется сопротивлением SF-границы и величиной эффекта близости.