ФТТ, 2005, том 47, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Зависимость верхнего критического магнитного поля от дефектности и параметры электронной структуры MgB2

С.И.Красносвободцев, А.В.Варлашкин, А.И.Головашкин, Н.П.Шабанова

Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук,
119991 Москва, Россия
E-mail: krasn@sci.lebedev.ru

(Поступила в Редакцию 25 июня 2004 г.)

Для двухзонного сверхпроводника MgB2 исследована зависимость верхнего критического магнитного поля Hc2 ( H|| c) от величины остаточного удельного сопротивления rhon. Обнаружен классический рост наклона -dHc2/dT температурной зависимости Hc2(T) при повышении дефектности материала. Определено значение верхнего критического магнитного поля чистого предела, получены прямые оценки параметров носителей 2D sigma-зоны, включая скорость Ферми и длину когерентности. Определен вклад от рассеяния электронов в величину Hc2, что позволило оценить длины свободного пробега электронов в образцах с различной дефектностью. Из зависимости наклона -dHc2/dT от rhon с учетом представлений о зонной структуре получена также величина плотности электронных состояний sigma-электронов на уровне Ферми. Прямая оценка этой величины из исследуемой зависимости невозможна, поскольку верхнее критическое магнитное поле определяется группой носителей одной зоны, а удельное сопротивление --- носителями обеих зон.

Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N  02-02-17353) и Федеральной целевой научно-технической программы (госконтракт N 40.012.1.1.1357).

 PDF версия (140Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster