Вышедшие номера
Зависимость верхнего критического магнитного поля от дефектности и параметры электронной структуры MgB2
Красносвободцев С.И.1, Варлашкин А.В.1, Головашкин А.И.1, Шабанова Н.П.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Email: krasn@sci.lebedev.ru
Поступила в редакцию: 25 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2005 г.

Для двухзонного сверхпроводника MgB2 исследована зависимость верхнего критического магнитного поля Hc2 ( H|| c) от величины остаточного удельного сопротивления rhon. Обнаружен классический рост наклона -dHc2/dT температурной зависимости Hc2(T) при повышении дефектности материала. Определено значение верхнего критического магнитного поля чистого предела, получены прямые оценки параметров носителей 2D sigma-зоны, включая скорость Ферми и длину когерентности. Определен вклад от рассеяния электронов в величину Hc2, что позволило оценить длины свободного пробега электронов в образцах с различной дефектностью. Из зависимости наклона -dHc2/dT от rhon с учетом представлений о зонной структуре получена также величина плотности электронных состояний sigma-электронов на уровне Ферми. Прямая оценка этой величины из исследуемой зависимости невозможна, поскольку верхнее критическое магнитное поле определяется группой носителей одной зоны, а удельное сопротивление - носителями обеих зон. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-17353) и Федеральной целевой научно-технической программы (госконтракт N 40.012.1.1.1357).