ФТТ, 2005, том 47, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Захват электронов на примесь в полупроводниках, определяемый пространственной диффузией

В.Д.Каган

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: victor.kagan@mail.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию 12 июля 2004 г.)

Испуская или поглощая фононы, электроны в полупроводнике захватываются полем заряженной примеси или ионизуются из захваченного состояния. Процесс захвата определяется изменением электронной функции распределения как в импульсном, так и в координатном пространстве. Вычисляется коэффициент захвата в тех условиях, когда он определяется диффузионным перераспределением электронной плотности в поле заряженной примеси.

Работа поддержана грантом НШ-2242.2003.2.

 PDF версия (94Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster