Издателям
Вышедшие номера
Захват электронов на примесь в полупроводниках, определяемый пространственной диффузией
Каган В.Д.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: victor.kagan@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 июля 2004 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2005 г.

Испуская или поглощая фононы, электроны в полупроводнике захватываются полем заряженной примеси или ионизуются из захваченного состояния. Процесс захвата определяется изменением электронной функции распределения как в импульсном, так и в координатном пространстве. Вычисляется коэффициент захвата в тех условиях, когда он определяется диффузионным перераспределением электронной плотности в поле заряженной примеси. Работа поддержана грантом НШ-2242.2003.2.
  • В.Д. Каган. ФТТ 47, 2, 210 (2005)
  • В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках. Изд-во ПИЯФ, СПб (1997). 375 с
  • M.P. Langevin. Ann. Chem. Phys. 28, 289; 433 (1903)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.