ФТТ, 2005, том 47, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Получение наноостровков Ge ультрамалых размеров с высокой плотностью на атомарно-чистой поверхности окиси Si

А.И.Никифоров, В.В.Ульянов, О.П.Пчеляков, С.А.Тийс, А.К.Гутаковский

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
E-mail: nikif@isp.nsc.ru

Приведены экспериментальные результаты исследований начальных стадий роста пленки германия на атомарно-чистой окисленной поверхности кремния. Показано, что в данной системе рост пленки германия происходит в соответствии с механизмом Фольмера--Вебера. На окисленной поверхности кремния образуются упругонапряженные островки с латеральным размером менее 10 nm и плотностью 2·1012 cm-2. При толщинах пленки более 5 монослоев наряду с ними образуются островки германия с латеральными размерами до 200 nm и плотностью 1.5·109 cm-2, которые полностью срелаксированы.

Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 03-02-16468 и 03-02-16506) и INTAS (грант N 03-51-5051).

 PDF версия (126Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster