ФТТ, 2005, том 47, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Спектроскопия комбинационного рассеяния света и электроотражение самоорганизованных SiGe-наноостровков, сформированных при различных температурах

М.Я.Валах, Р.Ю.Голиней, В.Н.Джаган, З.Ф.Красильник *, О.С.Литвин, Д.Н.Лобанов *,
А.Г.Милехин **, А.И.Никифоров **, А.В.Новиков *, О.П.Пчеляков **, В.А.Юхимчук

Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина
* Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603600 Нижний Новгород, Россия
** Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
E-mail: yukhum@isp.kiev.ua

С помощью спектроскопии КРС и электроотражения исследованы SiGe-наноостровки в кремниевой матрице, выращенные в интервале температур от 300 до 600oC. Для островков, сформированных при относительно низких температурах (300-500oC), загеристрирован дублетный характер фононных полос. Показано, что зависящие от температуры роста структур изменения компонентного состава, размеров и формы наноостровков и связанные с этим величины упругих напряжений существенно изменяют энергии электронных межзонных оптических переходов в островках. Как следствие изменяются резонансные условия процесса КРС. Установлено, что процесс интердиффузии из кремниевой подложки и покровного слоя, определяющий смешанный SiGe-состав наноостровков, оказывается актуальным даже при низких (300-400oC) температурах выращивания наноструктур.

Работа выполнена при поддержке гранта INTAS NANO N 01-444.

 PDF версия (172Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster