Обнаружено немонотонное поведение латеральной фотопроводимости (ФП) при изменении интенсивности межзонного света в структурах Si / Ge / Si и Si / Ge / SiO$$_x с самоорганизующимися квантовыми точками (КТ) германия, когда наряду со ступенчатым ростом ФП наблюдается и ступенчатое уменьшение ФП. Изучено влияние температуры измерений и тянущего поля на данные особенности ФП для структур обоих типов с наибольшей номинальной толщиной слоя Ge ($N$_Ge). Полученные результаты обсуждаются в рамках теории протекания неравновесных носителей заряда, локализованных в различных областях структуры: электронов в матрице кремния и дырок в КТ.

Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 03-02-16466, 03-02-16468).