Обнаружено немонотонное поведение латеральной фотопроводимости (ФП) при изменении интенсивности межзонного света в структурах Si / Ge / Si и Si / Ge / SiO_x с самоорганизующимися квантовыми точками (КТ) германия, когда наряду со ступенчатым ростом ФП наблюдается и ступенчатое уменьшение ФП. Изучено влияние температуры измерений и тянущего поля на данные особенности ФП для структур обоих типов с наибольшей номинальной толщиной слоя Ge (N_Ge). Полученные результаты обсуждаются в рамках теории протекания неравновесных носителей заряда, локализованных в различных областях структуры: электронов в матрице кремния и дырок в КТ. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 03-02-16466, 03-02-16468).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.