ФТТ, 2005, том 47, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние предосаждения Si1-xGex слоя на рост SiGe/Si(001) самоформирующихся островков

Н.В.Востоков, Ю.Н.Дроздов, З.Ф.Красильник, Д.Н.Лобанов, А.В.Новиков, А.Н.Яблонский,
M.Stoffel *, U.Denker *, O.G.Schmidt *, О.М.Горбенко **, И.П.Сошников ***

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия
* Max-Planck-Institut fur Festkorperforschung,
D-70569 Stuttgart, Germany
** Институт аналитического приборостроения Российской академии наук,
190103 Санкт-Петербург, Россия
*** Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: dima@ipm.sci-nnov.ru

Исследован рост Ge(Si) самоформирующихся островков на напряженном Si1-xGex слое (0%). Обнаружено, что размеры и поверхностная плотность островков увеличиваются с ростом содержания Ge в Si1-xGex слое. Рост поверхностной плотности островков связывается с увеличением шероховатости поверхности после осаждения SiGe слоя. Рост размеров островков объясняется уменьшением толщины смачивающего слоя, которое вызвано дополнительной упругой энергией, накопленной в SiGe слое, и увеличением диффузии Si из Si1-xGex слоя в островки. Увеличение доли поверхности, занятой островками, приводит к большему упорядочению взаимного расположения островков.

Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 02-02-16792 и 02-02-17846-а), INTAS NANO N 01-444 и BRHE Program.

 PDF версия (194Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster