ФТТ, 2005, том 47, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

О влиянии процесса коалесценции и характера
исходного оксида на фотолюминесценцию ионно-синтезированных нанокристаллов Si в SiO2

Д.И.Тетельбаум, О.Н.Горшков, А.П.Касаткин, А.Н.Михайлов, А.И.Белов, Д.М.Гапонова *, С.В.Морозов *

Научно-исследовательский физико-технический институт
Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского,
603950 Нижний Новгород, Россия
* Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия
E-mail: Tetelbaum@phys.unn.ru

Экспериментально и теоретически исследована зависимость интенсивности фотолюминесценции (ИФЛ), связанной с нанокристаллами Si, от дозы ионов Si+ при различных температурах отжига Tann (1000-1200oC) для системы SiO2 : nc-Si, синтезированной методом ионной имплантации. Установлено, что доза, соответствующая максимальной ИФЛ, уменьшается с ростом Tann. Эти данные объясняются на основе модели, учитывающей коалесценцию соседних нанокристаллов и зависимость вероятности излучательной рекомбинации квантовых точек от их размера. Обнаружено, что при использовании оксида кремния, выращенного во влажной атмосфере, в спектре фотолюминесценции присутствует дополнительная полоса (в районе 880 nm), наличие которой связывается с оболочкой, окружающей нанокристаллы. Данная полоса резко ослабляется при высокотемпературном отжиге в окисляющей атмосфере (на воздухе).

Работа выполнена при поддержке программы Минобразования РФ \glqq Научные исследования высшей школы в приоритетных направлениях науки и техники\grqq (подпрограммы N 205), совместной программы Минобразования РФ и фонда CRDF BRHE NN-001-01, программы FP6 STREP N 505285-1, гранта INTAS N 00-0064.

 PDF версия (272Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster