Вышедшие номера
О влиянии процесса коалесценции и характера исходного оксида на фотолюминесценцию ионно-синтезированных нанокристаллов Si в SiO2
Тетельбаум Д.И.1, Горшков О.Н.1, Касаткин А.П.1, Михайлов А.Н.1, Белов А.И.1, Гапонова Д.М.2, Морозов С.В.2
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: Tetelbaum@phys.unn.ru
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.

Экспериментально и теоретически исследована зависимость интенсивности фотолюминесценции (ИФЛ), связанной с нанокристаллами Si, от дозы ионов Si+ при различных температурах отжига Tann (1000-1200oC) для системы SiO2 : nc-Si, синтезированной методом ионной имплантации. Установлено, что доза, соответствующая максимальной ИФЛ, уменьшается с ростом Tann. Эти данные объясняются на основе модели, учитывающей коалесценцию соседних нанокристаллов и зависимость вероятности излучательной рекомбинации квантовых точек от их размера. Обнаружено, что при использовании оксида кремния, выращенного во влажной атмосфере, в спектре фотолюминесценции присутствует дополнительная полоса (в районе 880 nm), наличие которой связывается с оболочкой, окружающей нанокристаллы. Данная полоса резко ослабляется при высокотемпературном отжиге в окисляющей атмосфере (на воздухе). Работа выполнена при поддержке программы Минобразования РФ "Научные исследования высшей школы в приоритетных направлениях науки и техники" (подпрограммы N 205), совместной программы Минобразования РФ и фонда CRDF BRHE NN-001-01, программы FP6 STREP N 505285-1, гранта INTAS N 00-0064.
  1. D.I. Tetelbaum, O.N. Gorshkov, S.A. Trushin, D.G. Revin, D.M. Gaponova, W. Eckstein. Nanotechnology 11, 295 (2000)
  2. B. Garrido Fernandez, M. Lopez, C. Garcia, A. Perez-Rodriguez, J.R. Morante, C. Bonafos, M. Carrada, A. Claverie. J. Appl. Phys. 91, 2, 798 (2002)
  3. W. Ostwald. Z. Phys. Chem. 34, 495 (1900)
  4. C. Bonafos, B. Colombeau, A. Altibelli, M. Carrada, G. Ben Assayag, B. Carrido, M. Lopez, A. Perez-Rodriguez, J.R. Morante, A. Claverie. Nucl. Instr. Meth. B 178, 17 (2001)
  5. K.S. Zhuravlev, A.M. Gilinsky, A.Yu. Kobitsky. Appl. Phys. Lett. 37, 20, 2962 (1998)
  6. D.I. Tetelbaum, S.A. Trushin, V.A. Burdov, A.I. Golovanov, D.G. Revin, D.M. Gaponova. Nucl. Instr. Meth. B 174, 123 (2001)
  7. D.I. Tetelbaum, S.A. Trushin, A.N. Mikhaylov, V.K. Vasil'ev, G.A. Kachurin, S.G. Yanovskaya, D.M. Gaponova. Physica E 16, 3--4, 410 (2003)
  8. S.A. Trushin, A.N. Mikhaylov, D.I. Tetelbaum, O.N. Gorshkov, D.G. Revin, D.M. Gaponova. Surf. Coat. Tech. 158--159, 717 (2002)
  9. И.М. Лифшиц, В.В. Слезов. ЖЭТФ 35, 2, 479 (1958)
  10. В.А. Беляков, В.А. Бурдов, Д.М. Гапонова, А.Н. Михайлов, Д.И. Тетельбаум, С.А. Трушин. ФТТ 46, 1, 31 (2004)
  11. G.A. Kachurin, I.E. Tischenko, K.S. Zhuravlev, N.A. Pazdnikov, V.A. Volodin, A.K. Gutakovsky, A.F. Leiser, W. Skorupa, R.A. Yankov. Nucl. Instr. Meth. B 122, 571 (1997)
  12. L.A. Balagurov, B.M. Leiferov, E.A. Petrova, A.F. Orlov, E.M. Panasenko. J. Appl. Phys. 79, 7143 (1996)
  13. K.S. Min, K.V. Scheglov, C.M. Yang, H.A. Atwater, M.L. Brongersma, A. Polman. Appl. Phys. Lett. 69, 2033 (1996)
  14. T. Shimizu-Iwayama, K. Fujita, S. Nakao, K. Saitoh, R. Fujita, N. Itoh. J. Appl. Phys. 75, 7779 (1994)
  15. Y. Kanemitsu, S. Okamato. Phys. Rev. B 58, 9652 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.