Исследованы электролюминесцентные свойства диодных светоизлучающих структур типа $p+$-Si/$n$-Si : Er/$n+$-Si, в которых тонкий слаболегированный слой $n$-Si : Er ($N$_D~ 10¹⁶ cm$-3$) заключен между высоколегированными слоями кремния. Показано, что максимальная интенсивность ЭЛ ионов Er$3+$ достигается в структурах, работающих в режиме смешанного пробоя области пространственного заряда. Определена ширина \glqq темновой\grqq области ($d$_dark~ 0.015-0.02 mum), в пределах которой электроны набирают энергию, необходимую для возбуждения ионов Er$3+$.

Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (N 02-02-16773, 04-02-17120), INTAS (N 01-0194, 03-51-6486).