ФТТ, 2005, том 47, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Возбуждение эрбия в матрице SiO2 : Si-nc при импульсной накачке

О.Б.Гусев*, М.Войдак, М.Клик, М.Форкалес, Т.Грегоркевич

* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
Van der Waals-Zeeman Institute, University of Amsterdam,
NL-1018 XE Amsterdam, The Netherlands
E-mail: oleg.gusev@mail.ioffe.ru

Исследована фотолюминесценция ионов Er3+ в матрице SiO2, включающей нанокристаллы кремния диаметром 3.5 nm, при резонансной и нерезонансной импульсной накачке с длительностью импульса 5· 10-9 s. Эффективное сечение возбуждения эрбия при импульсной накачке sigmaeff=8.7· 10-17 cm2 близко к сечению возбуждения нанокристаллов. Сравнение данных по интенсивности фотолюминесценции эрбия, полученных для матрицы SiO2 с нанокристаллами и без них, позволило определить абсолютную концентрацию оптически активных нанокристаллов, способных возбуждать ионы эрбия; концентрацию оптически активного эрбия и среднее число ионов эрбия, возбуждаемых одним нанокристаллом. Результаты исследования показывают, что процесс передачи возбуждения от одного иона эрбия другому относительно медленный, что объясняет слабую эффективность возбуждения эрбия при импульсной накачке в матрице SiO2, включающей нанокристаллы кремния.

Работа выполнена при поддержке грантов INTAS (N 03-51-6486), Российского фонда фундаментальных исследований и программы РАН \glqq Новые материалы\grqq.

 PDF версия (163Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster