ФТТ, 2004, том 46, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Ян-теллеровские переходы в YbXO4 (X = V, P), стимулированные сильным магнитным полем

З.А.Казей

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,
119899 Москва, Россия
E-mail: kazei@plms.phys.msu.su

(Поступила в Редакцию 27 января 2004 г.
В окончательной редакции 27 апреля 2004 г.)

Теоретически исследовано влияние внешнего магнитного поля вдоль различных осей симметрии на структурные фазовые переходы ян-теллеровской природы (квадрупольное упорядочение) в кристаллах YbPO4 и YbVO4 со структурой циркона, которые в отсутствие внешнего поля находятся в надкритическом состоянии и не обнаруживают спонтанного квадрупольного упорядочения. Показано, что для H||[110] деформационная восприимчивость chigamma возрастает с ростом поля, так что в достаточно сильном поле в исследованных кристаллах возникает ромбическая деформация решетки вдоль оси [100] --- стимулированный ян-теллеровский переход gamma-симметрии. На основании параметров взаимодействия, определенных из независимых экспериментов, рассчитаны фазовые диаграммы и аномалии магнитных и магнитоупругих свойств кристаллов YbPO4 и YbVO4 вблизи стимулированных фазовых переходов, исследовано влияние на них различных парных взаимодействий и проанализирована возможность экспериментального наблюдения предсказываемых эффектов.

Работа выполнена частично при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 03-02-16809) и МНТЦ (проект N 2029).

 PDF версия (380Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster