ФТТ, 2004, том 46, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Экспериментальное определение констант абсолютных объемных деформационных потенциалов экстремумов зон полупроводников

М.И.Даунов, И.К.Камилов, С.Ф.Габибов

Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук,
367003 Махачкала, Россия
E-mail: kamilov@datacom.ru

(Поступила в Редакцию 18 ноября 2003 г.
В окончательной редакции 24 февраля 2004 г.)

Для определения констант абсолютных объемных деформационных потенциалов (КАОДП) краев зон проводимости и валентной зоны в полупроводниках предлагается использовать объемно-концентрационный эффект, концепцию независимости энергии глубоких примесных центров от давления и данные об удельном сопротивлении и коэффициенте Холла. По нашим и опубликованным другими авторами данным определены КАОДП зон проводимости и валентной зоны в Ge, GaAs, InAs и InSb.

Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 02-02-17888).

 PDF версия (189Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster