Вышедшие номера
Экспериментальное определение констант абсолютных объемных деформационных потенциалов экстремумов зон полупроводников
Даунов М.И.1, Камилов И.К.1, Габибов С.Ф.1
1Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
Email: kamilov@datacom.ru
Поступила в редакцию: 18 ноября 2003 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2004 г.

Для определения констант абсолютных объемных деформационных потенциалов (КАОДП) краев зон проводимости и валентной зоны в полупроводниках предлагается использовать объемно-концентрационный эффект, концепцию независимости энергии глубоких примесных центров от давления и данные об удельном сопротивлении и коэффициенте Холла. По нашим и опубликованным другими авторами данным определены КАОДП зон проводимости и валентной зоны в Ge, GaAs, InAs и InSb. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 02-02-17888).