Вышедшие номера
Экспериментальное определение констант абсолютных объемных деформационных потенциалов экстремумов зон полупроводников
Даунов М.И.1, Камилов И.К.1, Габибов С.Ф.1
1Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
Email: kamilov@datacom.ru
Поступила в редакцию: 18 ноября 2003 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2004 г.

Для определения констант абсолютных объемных деформационных потенциалов (КАОДП) краев зон проводимости и валентной зоны в полупроводниках предлагается использовать объемно-концентрационный эффект, концепцию независимости энергии глубоких примесных центров от давления и данные об удельном сопротивлении и коэффициенте Холла. По нашим и опубликованным другими авторами данным определены КАОДП зон проводимости и валентной зоны в Ge, GaAs, InAs и InSb. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 02-02-17888).
  1. K. Kosaka, K. Takarabe. Phys. Stat. Sol. (b) 235, 2, 423 (2003)
  2. П. Ю, М. Кардона. Основы физики полупроводников. Физматлит, М. (2002). 560 с
  3. М.И. Даунов, И.К. Камилов, С.Ф. Габибов. ФТП 35, 1, 59 (2001)
  4. M.I. Daunov, I.K. Kamilov, S.F. Gabibov, R.Rh. Akchurin. Phys. Stat. Sol. (b) 223, 1--2, 529 (2001)
  5. M.I. Daunov, I.K. Kamilov, R.K. Arslanov, S.F. Gabibov, D.M. Daunova. Abstract. XXXIX European High Pressure Research Group Meeting. Spain (2001). P. 34
  6. М.И. Даунов, А.Б. Магомедов, А.Е. Рамазанова. ФТП 19, 5, 936 (1985)
  7. П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупроводниковая электроника. Справочник. Наук. думка, Киев (1975). 704 с
  8. М.И. Даунов, И.К. Камилов, А.Б. Магомедов, А.Ш. Киракосян. ФТП 33, 1, 59 (1999)
  9. М.И. Даунов, А.Б. Магомедов, А.Е. Рамазанова. Изв. вузов. Физика 8, 98 (1986)
  10. М.И. Даунов, А.Б. Магомедов, В.И. Данилов. ФТП 25, 3, 467 (1991)
  11. M.G. Holland, W. Paul. Phys. Rev. 128, 1, 43 (1962)
  12. W. Paul. Proc. 9th Int. Conf. Semicond. M. (1968). V. 1. P. 51
  13. В.В. Попов, М.Л. Шубников, С.С. Шалыт, В.В. Косарев. ФТП 11, 10, 1914 (1977)
  14. А. Плиткас, А. Крокус, Л.А. Балагуров, Е.М. Омельяновский. ФТП 14, 12, 2123 (1980)
  15. M. Holtz, T. Saungy, T. Dallas, M. Seon, C.P. Palsule, S. Gangopadhyay, S. Massie. Phys. Stat. Sol. (b) 198, 1, 199 (1996)
  16. Н.Б. Брандт, Е.П. Скипетров. ФНТ 22, 8, 665 (1996)
  17. В.А. Тележкин, К.Б. Толпыго. ФТП 16, 8, 1337 (1982)
  18. In-Hwan Chor, P.Y. Yu. Phys. Stat. Sol. (b) 211, 1, 143 (1999)
  19. V. Iota, A. Weinstein. Phys. Stat. Sol. (b) 211, 1, 91 (1999)
  20. R.-D. Hong, D.W. Jenkins, S.Y. Ren, J. Dow. Phys. Rev. B 38, 15, 12 549 (1988)
  21. D.J. Chadi, K.J. Chang. Phys. Rev. Lett. 61, 9, 873 (1988)
  22. M.I. Daunov, I.K. Kamilov, S.F. Gabibov, A.B. Magomedov. Phys. Stat. Sol. (b) 235, 2, 297 (2003)
  23. P. Kordos. Phys. Stat. Sol. 33, 2, K129 (1969)
  24. Е.Г. Пель, В.И. Фистуль, А. Ягшигельдыев, А.Г. Яковенко. ФТП 14, 6, 1220 (1980)
  25. И.К. Камилов, М.И. Даунов, В.А. Елизаров, А.Б. Магомедов. ЖЭТФ 104, 1 ( 7), 2436 (1993)
  26. M.D. Frogley, D.J. Dunstan. Phys. Stat. Sol. (b) 211, 1, 17 (1999)
  27. М. Шашков. Металлургия полупроводников. ГНТИ, М. (1960)
  28. E.G. Moroni, W. Wolf, J. Hafner, R. Podloucky. Phys. Rev. B 59, 20, 12 860 (1999)
  29. И.К. Камилов, М.И. Даунов, В.А. Елизаров, А.Б. Магомедов. Письма в ЖЭТФ 54, 10, 589 (1991)
  30. A.G. Foyt, R.E. Halstad, W. Paul. Phys. Rev. Lett. 16, 1, 55 (1966)
  31. М.И. Даунов, А.Ю. Моллаев, Р.К. Арсланов, Л.А. Сайпулаева, С.Ф. Габибов. Изв. вузов. Физика 9 (1996); Деп. в ВИНИТИ 20.06.96, рег. N 2038-B96
  32. In-Hwan Choi, P.Y. Yu. Phys. Stat. Sol. (b) 235, 2, 307 (2003)
  33. M.I. Daunov, I.K. Kamilov, S.F. Gabibov, A.B. Magomedov. Abstract Joint 19th AIRAPT--41st EHPRG Int. Conf. on High Pressure Science and Technology. Bordeaux, France (2003). P. 153.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.