ФТТ, 2004, том 46, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

О роли изолированных и связанных дефектов
в определении спектра близкраевой люминесценции твердых тел

К.Д.Глинчук, А.В.Прохорович

Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина
E-mail: ria@isp.kiev.ua

(Поступила в Редакцию 5 мая 2003 г.
В окончательной редакции 26 августа 2003 г.)

Приведены выражения для интенсивностей полос в близкраевом спектре люминесценции твердых тел, содержащих как изолированные, так и связанные дефекты (мелкие акцепторы и доноры). Найдены условия, при выполнении которых они вносят незначительный либо доминирующий вклад в близкраевые полосы люминесценции. Показано (на основе анализа близкраевого спектра люминесценции полуизолирующего GaAs), что в твердых телах весьма вероятны ситуации, когда интенсивности близкраевых полос люминесценции определяются различными состояниями (изолированное или связанное) мелких акцепторов и доноров.

 PDF версия (159Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster