О роли изолированных и связанных дефектов в определении спектра близкраевой люминесценции твердых тел
Глинчук К.Д.1, Прохорович А.В.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Email: ria@isp.kiev.ua
Поступила в редакцию: 5 мая 2003 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2004 г.
Приведены выражения для интенсивностей полос в близкраевом спектре люминесценции твердых тел, содержащих как изолированные, так и связанные дефекты (мелкие акцепторы и доноры). Найдены условия, при выполнении которых они вносят незначительный либо доминирующий вклад в близкраевые полосы люминесценции. Показано (на основе анализа близкраевого спектра люминесценции полуизолирующего GaAs), что в твердых телах весьма вероятны ситуации, когда интенсивности близкраевых полос люминесценции определяются различными состояниями (изолированное или связанное) мелких акцепторов и доноров.
- А. Берг, П. Дин. Светодиоды. Мир, М. (1979)
- O. Brandt, J. Ringling, K.H. Ploog. Phys. Rev. B 58, 24, R 15 977 (1998)
- S. Seto, K. Suzuki, M. Adachi, K. Inabe. Physica B 302-- 303, 307 (2000)
- I. Brousell, J.A.H. Stotz, M.L.W. Thewalt. J. Appl. Phys. 92, 10, 5913 (2002)
- К.Д. Глинчук, А.В. Прохорович. ФТП 36, 5, 519 (2002)
- T. Schmidt, K. Lischka, W. Zulehner. Phys. Rev. B 45, 16, 8989 (1992)
- К.Д. Глинчук, А.В. Прохорович. ФТП 37, 2, 159 (2003)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук