ФТТ, 2004, том 46, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Оптическое поглощение ионами Nd3+ и Gd3+ в эпитаксиальных пленках, выращенных на подложках Gd3Ga5O12 из свинецсодержащего раствора-расплава

В.В.Рандошкин, Н.В.Васильева, В.Г.Плотниченко *, Ю.Н.Пырков *, С.В.Лаврищев *,
М.А.Иванов, А.А.Кирюхин , А.М.Салецкий **, Н.Н.Сысоев **

Институт общей физики Российской академии наук,
119991 Москва, Россия
* Научный центр волоконной оптики Института общей физики Российской академии наук,
119991 Москва, Россия
** Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,
119992 Москва, Россия
E-mail: antonv@aha.ru

(Поступила в Редакцию 15 июля 2003 г.
В окончательной редакции 4 ноября 2003 г.)

На подложках Gd3Ga5O12 с ориентацией (111) методом жидкофазной эпитаксии из переохлажденного раствора-расплава на основе PbO--B2O3 выращена серия эпитаксиальных пленок составов (Gd,Nd)3Ga5O12 и (Gd,Y,Nd)3Ga5O12 с содержанием неодима от 0.3 до 15 at.%. Измерены спектры поглощения этих пленок в диапазоне длин волн от 0.2 до 1.0 mum. Представлена интерпретация наблюдаемых полос поглощения, позволившая построить схему энергетических уровней ионов Nd3+ и Gd3+ в матрице выращенных пленок.

 PDF версия (451Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster