ФТТ, 2004, том 46, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Формирование структуры квантовых нитей InGaAs в матрице арсенида галлия

Л.К.Орлов, Н.Л.Ивина

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия
E-mail: orlov@ipm.sci-nnov.ru

(Поступила в Редакцию 1 июля 2003 г.)

Обсуждается возможность формирования массивов одномерных квантовых проводников на базе пористых многослойных структур InxGa1-xAs/GaAs с двумерным газом носителей заряда в слоях InxGa1-xAs. Переход от монокристаллической матрицы к пористой прослеживается методом сканирующей атомно-силовой микроскопии. Понижение размерности электронно-дырочного газа в формируемых объектах, т. е. переход от двумерной системы к одномерной, устанавливается из анализа зависимостей положения и ширины спектральной линии в спектрах фотолюминесценции от времени травления образца. Подобная процедура осуществлена как на многослойных периодических сверхрешетках, так и на структуре с одиночным слоем InxGa1-xAs, расположенным в приповерхностном слое арсенида галлия. Выполнены измерения электрофизических характеристик электронов в пористых сверхрешетках в зависимости от температуры, подтверждающие не только формирование новой структуры вещества, но и показывающие смену механизма рассеяния электронов в квазиодномерных транспортных каналах, формируемых в системе.

Работа выполнена в рамках гранта Министерства образования Российской Федерации (грант N E02-3.4-347) и при частичной финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 01-02-16778).

 PDF версия (550Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster