Издателям
Вышедшие номера
Формирование структуры квантовых нитей InGaAs в матрице арсенида галлия
Орлов Л.К.1, Ивина Н.Л.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: orlov@ipm.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 1 июля 2003 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2004 г.

Обсуждается возможность формирования массивов одномерных квантовых проводников на базе пористых многослойных структур InxGa1-xAs/GaAs с двумерным газом носителей заряда в слоях InxGa1-xAs. Переход от монокристаллической матрицы к пористой прослеживается методом сканирующей атомно-силовой микроскопии. Понижение размерности электронно-дырочного газа в формируемых объектах, т. е. переход от двумерной системы к одномерной, устанавливается из анализа зависимостей положения и ширины спектральной линии в спектрах фотолюминесценции от времени травления образца. Подобная процедура осуществлена как на многослойных периодических сверхрешетках, так и на структуре с одиночным слоем InxGa1-xAs, расположенным в приповерхностном слое арсенида галлия. Выполнены измерения электрофизических характеристик электронов в пористых сверхрешетках в зависимости от температуры, подтверждающие не только формирование новой структуры вещества, но и показывающие смену механизма рассеяния электронов в квазиодномерных транспортных каналах, формируемых в системе. Работа выполнена в рамках гранта Министерства образования Российской Федерации (грант N E02-3.4-347) и при частичной финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 01-02-16778).
  • Ю.Н. Бузынин, С.А. Гусев, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, А.В. Мурель, Д.Г. Ревин, В.Н. Шашкин, И.В. Шулешова. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 5, 40 (1996)
  • Н.С. Аверкиев, Л.П. Казакова, Э.А. Лебедев, Ю.В. Рудь, А.Н. Смирнов, Н.Н. Смирнова. ФТП 34, 757 (2000)
  • А.Д. Грозав, Н.И. Лепорда. ФТТ 38, 1924 (1996)
  • D.P. Yu, Y.J. Xing, Q.L. Hang et al. Physica E 9, 305 (2001)
  • Е.С. Демидов. Письма в ЖЭТФ 71, 351 (2000)
  • Е.С. Демидов, В.В. Карзанов, В.Г. Шенгуров. Письма в ЖЭТФ 67, 794 (1998)
  • В.Н. Богомолов, А.И. Задорожний, Т.М. Павлова, В.П. Петрановский, В.П. Подхалюзин, А.Л. Холкин. Письма в ЖЭТФ 31, 406 (1980)
  • В.Н. Богомолов, А.И. Задорожний, Т.М. Павлова. ФТП 15, 2029 (1981)
  • L.K. Orlov, N.L. Ivina, N.A. Alyabina, B.N. Zvonkov, E.S. Demidov. Phys. Stat. Solid. (a) 3, 981 (2003)
  • Л.К. Орлов, Н.Л. Ивина. Письма в ЖЭТФ 75, 584 (2002)
  • L.K. Orlov, N.L. Ivina, N.A. Alyabina, N.V. Vostokov, B.N. Zvonkov, E.S. Demidov. Proc. of Int. Conf. on Solid State Crystals: Material Sciences and Applications (2002). Zakopane, Poland (2003). P. 38
  • В.Я. Алешкин, Б.Н. Звонков, Е.Р. Линькова, А.В. Мурель, Ю.А. Романов. ФТП 27,931 (1993)
  • Л.К. Орлов, Н.Л. Ивина, Ю.Н. Дроздов, Н.А. Алябина. Письма в ЖТФ 28, 24, 1 (2002)
  • С.Г. Петросян, А.Я. Шик. ФТП 26, 763 (1992)
  • J. Voit. Rep. Progress in Phys. 58, 977 (1995)
  • F.D.M. Haldane. J. Phys. C: Solid State Phys. 14, 2585 (1981)
  • Л.К. Орлов, Н.Л. Ивина, Р.А. Рубцова, Ю.А. Романов. ФТТ 42, 3, 537 (2000)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.