Издателям
Вышедшие номера
Формирование структуры квантовых нитей InGaAs в матрице арсенида галлия
Орлов Л.К.1, Ивина Н.Л.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: orlov@ipm.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 1 июля 2003 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2004 г.

Обсуждается возможность формирования массивов одномерных квантовых проводников на базе пористых многослойных структур InxGa1-xAs/GaAs с двумерным газом носителей заряда в слоях InxGa1-xAs. Переход от монокристаллической матрицы к пористой прослеживается методом сканирующей атомно-силовой микроскопии. Понижение размерности электронно-дырочного газа в формируемых объектах, т. е. переход от двумерной системы к одномерной, устанавливается из анализа зависимостей положения и ширины спектральной линии в спектрах фотолюминесценции от времени травления образца. Подобная процедура осуществлена как на многослойных периодических сверхрешетках, так и на структуре с одиночным слоем InxGa1-xAs, расположенным в приповерхностном слое арсенида галлия. Выполнены измерения электрофизических характеристик электронов в пористых сверхрешетках в зависимости от температуры, подтверждающие не только формирование новой структуры вещества, но и показывающие смену механизма рассеяния электронов в квазиодномерных транспортных каналах, формируемых в системе. Работа выполнена в рамках гранта Министерства образования Российской Федерации (грант N E02-3.4-347) и при частичной финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 01-02-16778).
  1. Ю.Н. Бузынин, С.А. Гусев, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, А.В. Мурель, Д.Г. Ревин, В.Н. Шашкин, И.В. Шулешова. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 5, 40 (1996)
  2. Н.С. Аверкиев, Л.П. Казакова, Э.А. Лебедев, Ю.В. Рудь, А.Н. Смирнов, Н.Н. Смирнова. ФТП 34, 757 (2000)
  3. А.Д. Грозав, Н.И. Лепорда. ФТТ 38, 1924 (1996)
  4. D.P. Yu, Y.J. Xing, Q.L. Hang et al. Physica E 9, 305 (2001)
  5. Е.С. Демидов. Письма в ЖЭТФ 71, 351 (2000)
  6. Е.С. Демидов, В.В. Карзанов, В.Г. Шенгуров. Письма в ЖЭТФ 67, 794 (1998)
  7. В.Н. Богомолов, А.И. Задорожний, Т.М. Павлова, В.П. Петрановский, В.П. Подхалюзин, А.Л. Холкин. Письма в ЖЭТФ 31, 406 (1980)
  8. В.Н. Богомолов, А.И. Задорожний, Т.М. Павлова. ФТП 15, 2029 (1981)
  9. L.K. Orlov, N.L. Ivina, N.A. Alyabina, B.N. Zvonkov, E.S. Demidov. Phys. Stat. Solid. (a) 3, 981 (2003)
  10. Л.К. Орлов, Н.Л. Ивина. Письма в ЖЭТФ 75, 584 (2002)
  11. L.K. Orlov, N.L. Ivina, N.A. Alyabina, N.V. Vostokov, B.N. Zvonkov, E.S. Demidov. Proc. of Int. Conf. on Solid State Crystals: Material Sciences and Applications (2002). Zakopane, Poland (2003). P. 38
  12. В.Я. Алешкин, Б.Н. Звонков, Е.Р. Линькова, А.В. Мурель, Ю.А. Романов. ФТП 27,931 (1993)
  13. Л.К. Орлов, Н.Л. Ивина, Ю.Н. Дроздов, Н.А. Алябина. Письма в ЖТФ 28, 24, 1 (2002)
  14. С.Г. Петросян, А.Я. Шик. ФТП 26, 763 (1992)
  15. J. Voit. Rep. Progress in Phys. 58, 977 (1995)
  16. F.D.M. Haldane. J. Phys. C: Solid State Phys. 14, 2585 (1981)
  17. Л.К. Орлов, Н.Л. Ивина, Р.А. Рубцова, Ю.А. Романов. ФТТ 42, 3, 537 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.