ФТТ, 2004, том 46, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электролюминесценция в слоях SiO2 в различных структурах

А.П.Барабан, П.П.Коноров, Л.В.Милоглядова, А.Г.Трошихин

Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета,
198904 Санкт-Петербург, Петродворец, Россия
E-mail: laramil@rabler.ru

(Поступила в Редакцию 30 июня 2003 г.
В окончательной редакции 4 сентября 2003 г.)

Методом электролюминесценции (ЭЛ) в системе электролит--диэлектрик--полупроводник исследовались окисные слои структур Si--SiO2--Si3N4 и Si--SiO2, полученных различными способами. Спектры ЭЛ всех структур содержали полосу излучения 2.7 eV, характерную для излучательной релаксации возбужденных силиленовых центров. Проведено сравнительное исследование условий возникновения таких центров свечения в различных структурах, содержащих слои SiO2, и уточнена их природа.

Работа поддержана КЦФЕ МО РФ (грант N PD02-1.2-356).

 PDF версия (219Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster