ФТТ, 2004, том 46, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Самоформирование квантовых точек Ge в гетероэпитаксиальной системе CaF2/Ge/CaF2/Si и создание туннельно-резонансного диода на ее основе

Л.В.Соколов *,**, А.С.Дерябин *, А.И.Якимов *, О.П.Пчеляков *, А.В.Двуреченский *

* Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
** Томский государственный университет,
634050 Томск, Россия
E-mail: sokolov@isp.nsc.ru

Методом молекулярно-лучевой эпитаксии создана гетероэпитаксиальная структура CaF2/Ge/CaF2/Si (111) с квантовыми точками Ge. При комнатной температуре наблюдались отрицательная дифференциальная проводимость и осцилляции проводимости, обусловленные резонансным туннелированием дырок. Энергетическое расстояние между уровнями в квантовых точках, определенное из периода осцилляций, составляет 40-50 meV в зависимости от размера точек Ge.

Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 00-02-17900).

 PDF версия (486Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster