Соколов Л.В.1,2, Дерябин А.С.2, Якимов А.И.2, Пчеляков О.П.2, Двуреченский А.В.2
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
![Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia](/images/e16.png)
Email: sokolov@isp.nsc.ru
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.
Методом молекулярно-лучевой эпитаксии создана гетероэпитаксиальная структура CaF2/Ge/CaF2/Si (111) с квантовыми точками Ge. При комнатной температуре наблюдались отрицательная дифференциальная проводимость и осцилляции проводимости, обусловленные резонансным туннелированием дырок. Энергетическое расстояние между уровнями в квантовых точках, определенное из периода осцилляций, составляет 40-50 meV в зависимости от размера точек Ge. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 00-02-17900).
- V. Ioannou-Sougleridis, V. Tsakiri, A.G. Nassiopoulov, P. Photopoulos, F. Bassani, Arnaud D'Avitaya. Phys. Stat. Sol. (a) 165, 97 (1998)
- Y. Inoue, A. Tanaka. J. Appl. Phys. 86, 3199 (1999)
- A.I. Yakimov, A.S. Derjabin, L.V. Sokolov, O.P. Pchelyakov, A.V. Dvurechenskii, M.M. Moiseeva, N.S. Sokolov. Appl. Phys. Lett. 81, 3, 499 (2002)
- U. Meirav, E.B. Foxman. Semicond. Sci. Technol. 10, 255 (1995)
- A.V. Dvurechenskii, A.V. Nenashev, A.I. Yakimov. Nanotechnology 13, 75 (2002)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.