Издателям
Вышедшие номера
Самоформирование квантовых точек Ge в гетероэпитаксиальной системе CaF2/Ge/CaF2/Si и создание туннельно-резонансного диода на ее основе
Соколов Л.В.1,2, Дерябин А.С.2, Якимов А.И.2, Пчеляков О.П.2, Двуреченский А.В.2
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: sokolov@isp.nsc.ru
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.

Методом молекулярно-лучевой эпитаксии создана гетероэпитаксиальная структура CaF2/Ge/CaF2/Si (111) с квантовыми точками Ge. При комнатной температуре наблюдались отрицательная дифференциальная проводимость и осцилляции проводимости, обусловленные резонансным туннелированием дырок. Энергетическое расстояние между уровнями в квантовых точках, определенное из периода осцилляций, составляет 40-50 meV в зависимости от размера точек Ge. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 00-02-17900).
  • V. Ioannou-Sougleridis, V. Tsakiri, A.G. Nassiopoulov, P. Photopoulos, F. Bassani, Arnaud D'Avitaya. Phys. Stat. Sol. (a) 165, 97 (1998)
  • Y. Inoue, A. Tanaka. J. Appl. Phys. 86, 3199 (1999)
  • A.I. Yakimov, A.S. Derjabin, L.V. Sokolov, O.P. Pchelyakov, A.V. Dvurechenskii, M.M. Moiseeva, N.S. Sokolov. Appl. Phys. Lett. 81, 3, 499 (2002)
  • U. Meirav, E.B. Foxman. Semicond. Sci. Technol. 10, 255 (1995)
  • A.V. Dvurechenskii, A.V. Nenashev, A.I. Yakimov. Nanotechnology 13, 75 (2002)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.