ФТТ, 2004, том 46, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фотолюминесценция GeSi/Si(001) самоорганизующихся наноостровков различной формы

Н.В.Востоков, З.Ф.Красильник, Д.Н.Лобанов, А.В.Новиков, М.В.Шалеев, А.Н.Яблонский

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия
E-mail: anov@ipm.sci-nnov.ru

Представлены результаты исследования зависимости спектров фотолюминесценции структур с самоорганизующимися островками GeSi/Si(001) от температуры осаждения Ge. Обнаружен немонотонный характер зависимости положения максимума пика фотолюминесценции от островков при понижении температуры осаждения Ge. Сдвиг пика фотолюминесценции от островков в область больших энергий при понижении температуры роста с 600 до 550oC связывается с происходящим в этом температурном интервале изменением формы островков, которое сопровождается резким уменьшением средней высоты островков.

Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-16792), проекта INTAS NANO N 01-444 и программ Минпромнауки РФ.

 PDF версия (462Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster