| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Новые механизмы локализации носителей заряда в нано-Si
И.В.Блонский, А.Ю.Вахнин, В.Н.Кадан, А.К.Кадащук
Институт физики Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина
E-mail: blon@iop.kiev.ua
| Сообщается об исследовании спектральных зависимостей термостимулированной люминесценции (TSL) и температурных зависимостей туннельной люминесценции (TL) сильнооксидированных образцов пористого кремния. На основании установленных особенностей спектральных зависимостей TSL и немонотонности температурной зависимости беккерелевского коэффициента затухания TL обсуждаются два новых механизма локализации носителей заряда, генетически связанные со свойственными таким объектам неоднородностями структуры: наличием внешних оксидных оболочек SiO ( |
| PDF версия (120Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2004, Коллектив авторов Разработано... webmaster |