ФТТ, 2004, том 46, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Новые механизмы локализации носителей заряда в нано-Si

И.В.Блонский, А.Ю.Вахнин, В.Н.Кадан, А.К.Кадащук

Институт физики Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина
E-mail: blon@iop.kiev.ua

Сообщается об исследовании спектральных зависимостей термостимулированной люминесценции (TSL) и температурных зависимостей туннельной люминесценции (TL) сильнооксидированных образцов пористого кремния. На основании установленных особенностей спектральных зависимостей TSL и немонотонности температурной зависимости беккерелевского коэффициента затухания TL обсуждаются два новых механизма локализации носителей заряда, генетически связанные со свойственными таким объектам неоднородностями структуры: наличием внешних оксидных оболочек SiOx (0) и волнистостью структуры кремниевых нитей.

Работа выполнена в рамках гранта \glqq Электрические и оптические свойства наноструктур на основе кремния и германия\grqq Межгосударственной российско-украинской программы \glqq Нанофизика и наноэлектроника\grqq и при финансовой поддержке программы НАН Украины \glqq Физические и астрофизические исследования фундаментальных проблем строения и свойств материи на макроскопическом и микроскопическом уровнях\grqq.

 PDF версия (120Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster