ФТТ, 2004, том 46, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Резонансное стоксовое и антистоксовое комбинационное рассеяние света в наноструктурах CdSe / ZnSe

М.Я.Валах, В.В.Стрельчук, Г.Н.Семенова, Ю.Г.Садофьев *

Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина
* Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук,
117927 Москва, Россия
E-mail: valakh@isp.kiev.ua

Исследованы спектры комбинационного рассеяния многослойных наноструктур CdSe / ZnSe с номинальной толщиной CdSe-вставки 2.1 монослоя. Обнаружена сильная зависимость интенсивности и частотного положения многофононных стоксовых и антистоксовых LO-полос от условий возбуждения. Полученные результаты интерпретированы как резонанс с различными экситонными переходами областей CdSe-вставки и барьерных слоев ZnSe. Отличие стоксовых и антистоксовых частот LO-полос при изменении условий резонанса подтверждает неоднородный характер полосы фотолюминесценции квантовых точек CdSe.

Работа выполнена в рамках совместной Российско-украинской исследовательской программы \glqq Нанофизика\grqq.

 PDF версия (242Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster