Издателям
Вышедшие номера
Резонансное стоксовое и антистоксовое комбинационное рассеяние света в наноструктурах CdSe / ZnSe
Валах М.Я.1, Стрельчук В.В.1, Семенова Г.Н.1, Садофьев Ю.Г.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.

Исследованы спектры комбинационного рассеяния многослойных наноструктур CdSe / ZnSe с номинальной толщиной CdSe-вставки 2.1 монослоя. Обнаружена сильная зависимость интенсивности и частотного положения многофононных стоксовых и антистоксовых LO-полос от условий возбуждения. Полученные результаты интерпретированы как резонанс с различными экситонными переходами областей CdSe-вставки и барьерных слоев ZnSe. Отличие стоксовых и антистоксовых частот LO-полос при изменении условий резонанса подтверждает неоднородный характер полосы фотолюминесценции квантовых точек CdSe. Работа выполнена в рамках совместной Российско-украинской исследовательской программы "Нанофизика".
  • N. Peranio, A. Rosenauer, D. Gerthsen, S.V. Sorokin, I.V. Sedova, S.V. Ivanov. Phys. Rev. B 61, 16 015 (2000); D. Litvinov, A. Rosenauer, D. Gerthsen, N.N. Ledentsov. Phys. Rev. B 61, 16 819 (2000)
  • C.S. Kim, M. Kim, S. Lee, J.K. Furdyna, M. Dobrowolska, H. Rho, L.M. Smith, H.E. Jackson. J. Cryst. Growth 214 / 215, 761 (2000)
  • M.Ya. Valakh, Yu.G. Sadofyev, N.O. Korsunska, G.N. Semenova, V.V. Strelchuk, L.V. Borkovska, M.V. Vuychik, M.M. Sharibaev. Semiconductor Physics, Quantum Electronics \& Optoelectronics 5, 3, 254 (2002)
  • M.Ya. Valakh, N.O. Korsunska, Yu.G. Sadofyev, V.V. Strelchuk, G.N. Semenova, L.V. Borkovska, V.V. Artamonov, M.V. Vuychik. Mater. Sci. Eng. B, in press (2003)
  • А.А. Клочихин, А.Г. Плюхин, Л.Г. Суслина, Е.Б. Шадрин. ФТТ 18, 7, 1909 (1976)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.