ФТТ, 2004, том 46, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Межподзонный циклотронный резонанс дырок в напряженных гетероструктурах Ge/GeSi (111) с широкими квантовыми ямами Ge и циклотронный резонанс 1L-электронов в слоях GeSi

В.Я.Алешкин, Д.Б.Векслер, В.И.Гавриленко, И.В.Ерофеева,
А.В.Иконников, Д.В.Козлов, О.А.Кузнецов *

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия
* Научно-исследовательский физико-технический институт
Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского,
603950 Нижний Новгород, Россия
E-mail:gavr@ipm.sci-nnov.ru

Исследованы спектры субмиллиметрового (homega=0.5-5 meV) магнитопоглощения в напряженных многослойных гетероструктурах Ge/Ge1-xSix (111) с широкими слоями Ge (dGe=300-850 Angstrem, dGeSi~ 200 Angstrem, x~ 0.1) при T=4.2 K и межзонном оптическом возбуждении. В спектрах поглощения обнаружены линии циклотронного резонанса (ЦР) 1L-электронов, локализованных в слоях твердого раствора GeSi (в отличие от ранее изученных структур с более узкими слоями Ge, которые являются квантовыми ямами для 3L-электронов). В образцах с широкими слоями Ge (dGe=800-850 Angstrem) обнаружены линии ЦР дырок, обусловленные переходами с нижних уровней Ландау, относящихся к первой подзоне размерного квантования, на уровни Ландау, принадлежащие более высоко расположенным третьей и пятой подзонам.

Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 03-02-16808) и ФЦП \glqq Интеграция\grqq (проект N Б0039/2102).

 PDF версия (421Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster