Издателям
Вышедшие номера
Межподзонный циклотронный резонанс дырок в напряженных гетероструктурах Ge/GeSi (111) с широкими квантовыми ямами Ge и циклотронный резонанс 1L-электронов в слоях GeSi
Алёшкин В.Я.1, Векслер Д.Б.1, Гавриленко В.И.1, Ерофеева И.В.1, Иконников А.В.1, Козлов Д.В.1, Кузнецов О.А.2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: gavr@ipm.sci-nnov.ru
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.

Исследованы спектры субмиллиметрового (homega=0.5-5 meV) магнитопоглощения в напряженных многослойных гетероструктурах Ge/Ge1-xSix (111) с широкими слоями Ge (dGe=300-850 Angstrem, dGeSi~ 200 Angstrem, x~ 0.1) при T=4.2 K и межзонном оптическом возбуждении. В спектрах поглощения обнаружены линии циклотронного резонанса (ЦР) 1L-электронов, локализованных в слоях твердого раствора GeSi (в отличие от ранее изученных структур с более узкими слоями Ge, которые являются квантовыми ямами для 3L-электронов). В образцах с широкими слоями Ge (dGe=800-850 Angstrem) обнаружены линии ЦР дырок, обусловленные переходами с нижних уровней Ландау, относящихся к первой подзоне размерного квантования, на уровни Ландау, принадлежащие более высоко расположенным третьей и пятой подзонам. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 03-02-16808) и ФЦП "Интеграция" (проект N Б0039/2102).
  1. L.K. Orlov, O.A. Kuznetsov, R.A. Rubtsova, A.L. Chernov, V.I. Vdovin, N.A. Gorodilov, V.I. Gavrilenko, N.G. Kalugin. Solid State Phenomena 32--33, 469 (1993)
  2. В.И. Гавриленко, И.Н. Козлов, О.А. Кузнецов, М.Д. Молдавская, В.В. Никоноров, Л.К. Орлов, А.Л. Чернов. Письма в ЖЭТФ 59, 5, 327 (1994)
  3. C.M. Engelhardt, D. Tobben, M. Ashauer, F. Schaffler, G. Abstreiter, E. Gornik. Solid State Electron. 37, 949 (1994)
  4. В.Я. Алешкин, Н.А. Бекин. ФТП 31, 2, 171 (1997)
  5. В.И. Гавриленко, И.В. Ерофеева, А.Л. Коротков, З.Ф. Красильник, О.А. Кузнецов, М.Д. Молдавская, В.В. Никоноров, Л.В. Парамонов. Письма в ЖЭТФ 65, 2, 194 (1997)
  6. В.Я. Алешкин, В.И. Гавриленко, И.В. Ерофеева, В.Л. Вакс, Д.Б. Векслер, О.А. Кузнецов, М.Д. Молдавская, J. Leotin, F. Yang. Материалы совещ. "Нанофотоника". ИФМ РАН, Н. Новгород (1999). С. 114
  7. V.Ya. Aleshkin, V.I. Gavrilenko, I.V. Erofeeva, O.A. Kuznetsov, M.D. Moldavskaya, V.L. Vaks, D.B. Veksler. Proc. 6th Int. Symp. "Nanostructures: physics and technology". St. Petersburg, Russia (1999). P. 356
  8. В.Я. Алешкин, В.Л. Вакс, Д.Б. Векслер, В.И. Гавриленко, И.В. Ерофеева, М.Д. Молдавская, О.А. Кузнецов, Ф. Янг, М. Гуаран, Ж. Леотен. Изв. РАН Сер. физ. 64, 308 (2000)
  9. V.Ya. Aleshkin, V.I. Gavrilenko, D.B. Veksler, L. Reggiani. Phys. Rev. B 66, 155 336 (2002)
  10. J.C. Hensel, K. Suzuki. Phys. Rev. B 9, 10, 4219 (1974)
  11. Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. Наука, М. (1972)
  12. F. Stern, W.E. Howard. Phys. Rev. 163, 3, 816 (1967)
  13. В.Я. Алешкин, А.В. Антонов, Д.Б. Векслер, В.И. Гавриленко, И.В. Ерофеева, А.В. Иконников, Д.В. Козлов, О.А. Кузнецов. Материалы совещ. "Нанофотоника". ИФМ РАН, Н. Новгород (2003). С. 248
  14. В.Я. Алешкин Д.Б. Векслер, В.И. Гавриленко, И.В. Ерофеева, А.В. Иконников, Д.В. Козлов, О.А. Кузнецов. ФТТ 46, 1, 11k (2004)
  15. S.R. Ryu, Z.X. Jiang, W.J. Li, B.D. McCombe, W. Schaff. Phys. Rev. B 54, 16, R11086 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.