Издателям
Вышедшие номера
Межподзонный циклотронный резонанс дырок в напряженных гетероструктурах Ge/GeSi (111) с широкими квантовыми ямами Ge и циклотронный резонанс 1L-электронов в слоях GeSi
Алёшкин В.Я.1, Векслер Д.Б.1, Гавриленко В.И.1, Ерофеева И.В.1, Иконников А.В.1, Козлов Д.В.1, Кузнецов О.А.2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: gavr@ipm.sci-nnov.ru
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.

Исследованы спектры субмиллиметрового (homega=0.5-5 meV) магнитопоглощения в напряженных многослойных гетероструктурах Ge/Ge1-xSix (111) с широкими слоями Ge (dGe=300-850 Angstrem, dGeSi~ 200 Angstrem, x~ 0.1) при T=4.2 K и межзонном оптическом возбуждении. В спектрах поглощения обнаружены линии циклотронного резонанса (ЦР) 1L-электронов, локализованных в слоях твердого раствора GeSi (в отличие от ранее изученных структур с более узкими слоями Ge, которые являются квантовыми ямами для 3L-электронов). В образцах с широкими слоями Ge (dGe=800-850 Angstrem) обнаружены линии ЦР дырок, обусловленные переходами с нижних уровней Ландау, относящихся к первой подзоне размерного квантования, на уровни Ландау, принадлежащие более высоко расположенным третьей и пятой подзонам. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 03-02-16808) и ФЦП "Интеграция" (проект N Б0039/2102).
  • L.K. Orlov, O.A. Kuznetsov, R.A. Rubtsova, A.L. Chernov, V.I. Vdovin, N.A. Gorodilov, V.I. Gavrilenko, N.G. Kalugin. Solid State Phenomena 32--33, 469 (1993)
  • В.И. Гавриленко, И.Н. Козлов, О.А. Кузнецов, М.Д. Молдавская, В.В. Никоноров, Л.К. Орлов, А.Л. Чернов. Письма в ЖЭТФ 59, 5, 327 (1994)
  • C.M. Engelhardt, D. Tobben, M. Ashauer, F. Schaffler, G. Abstreiter, E. Gornik. Solid State Electron. 37, 949 (1994)
  • В.Я. Алешкин, Н.А. Бекин. ФТП 31, 2, 171 (1997)
  • В.И. Гавриленко, И.В. Ерофеева, А.Л. Коротков, З.Ф. Красильник, О.А. Кузнецов, М.Д. Молдавская, В.В. Никоноров, Л.В. Парамонов. Письма в ЖЭТФ 65, 2, 194 (1997)
  • В.Я. Алешкин, В.И. Гавриленко, И.В. Ерофеева, В.Л. Вакс, Д.Б. Векслер, О.А. Кузнецов, М.Д. Молдавская, J. Leotin, F. Yang. Материалы совещ. "Нанофотоника". ИФМ РАН, Н. Новгород (1999). С. 114
  • V.Ya. Aleshkin, V.I. Gavrilenko, I.V. Erofeeva, O.A. Kuznetsov, M.D. Moldavskaya, V.L. Vaks, D.B. Veksler. Proc. 6th Int. Symp. "Nanostructures: physics and technology". St. Petersburg, Russia (1999). P. 356
  • В.Я. Алешкин, В.Л. Вакс, Д.Б. Векслер, В.И. Гавриленко, И.В. Ерофеева, М.Д. Молдавская, О.А. Кузнецов, Ф. Янг, М. Гуаран, Ж. Леотен. Изв. РАН Сер. физ. 64, 308 (2000)
  • V.Ya. Aleshkin, V.I. Gavrilenko, D.B. Veksler, L. Reggiani. Phys. Rev. B 66, 155 336 (2002)
  • J.C. Hensel, K. Suzuki. Phys. Rev. B 9, 10, 4219 (1974)
  • Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. Наука, М. (1972)
  • F. Stern, W.E. Howard. Phys. Rev. 163, 3, 816 (1967)
  • В.Я. Алешкин, А.В. Антонов, Д.Б. Векслер, В.И. Гавриленко, И.В. Ерофеева, А.В. Иконников, Д.В. Козлов, О.А. Кузнецов. Материалы совещ. "Нанофотоника". ИФМ РАН, Н. Новгород (2003). С. 248
  • В.Я. Алешкин Д.Б. Векслер, В.И. Гавриленко, И.В. Ерофеева, А.В. Иконников, Д.В. Козлов, О.А. Кузнецов. ФТТ 46, 1, 11k (2004)
  • S.R. Ryu, Z.X. Jiang, W.J. Li, B.D. McCombe, W. Schaff. Phys. Rev. B 54, 16, R11086 (1996)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.