ФТТ, 2003, том 45, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние электронного облучения на гальваномагнитные свойства монокристаллов полупроводников InxBi2-xTe3

А.Е.Карькин, В.В.Щенников, Б.Н.Гощицкий, С.Е.Данилов, В.Л.Арбузов, В.А.Кульбачинский *

Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук,
620219 Екатеринбург, Россия
* Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,
119992 Москва, Россия
E-mail: kulb@mig.phys.msu.ru

(Поступила в Редакцию 3 декабря 2002 г.
В окончательной редакции 15 мая 2003 г.)

Исследовано влияние облучения монокристаллов p-InxBi2-xTe3 (x=0, 0.04, 0.07) электронами с энергией 5 MeV при температуре 250 K на гальваномагнитные эффекты. Показано, что облучение изменяет p-тип проводимости на n-тип. Отжиг при температуре 310-390 K приводит к восстановлению p-типа проводимости. Изменение типа проводимости и концентрации носителей тока объясняется увеличением концентрации радиационных заряженных точечных дефектов в InxBi2-xTe3 при облучении. В монокристаллах p-типа электронное облучение понижает сопротивление без изменения типа проводимости. Отжиг практически восстанавливает исходные свойства.

Работа выполнена при финансовой поддержке Минпромнауки РФ (госконтракт N40.020.1.1.1166, договор N 10/20), ФЦНТП фундаментальных исследований РАН \glqq Квантовая макрофизика\grqq (договор N 25/02) и Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 01-02-16877, 01-02-17203).

 PDF версия (295Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster