Издателям
Вышедшие номера
Влияние электронного облучения на гальваномагнитные свойства монокристаллов полупроводников InxBi2-xTe3
Карькин А.Е.1, Щенников В.В.1, Гощицкий Б.Н.1, Данилов С.Е.1, Арбузов В.Л.1, Кульбачинский В.А.2
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Email: kulb@mig.phys.msu.ru
Поступила в редакцию: 3 декабря 2002 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2003 г.

Исследовано влияние облучения монокристаллов p-InxBi2-xTe3 (x=0, 0.04, 0.07) электронами с энергией 5 MeV при температуре 250 K на гальваномагнитные эффекты. Показано, что облучение изменяет p-тип проводимости на n-тип. Отжиг при температуре 310-390 K приводит к восстановлению p-типа проводимости. Изменение типа проводимости и концентрации носителей тока объясняется увеличением концентрации радиационных заряженных точечных дефектов в InxBi2-xTe3 при облучении. В монокристаллах p-типа электронное облучение понижает сопротивление без изменения типа проводимости. Отжиг практически восстанавливает исходные свойства. Работа выполнена при финансовой поддержке Минпромнауки РФ (госконтракт N40.020.1.1.1166, договор N 10/20), ФЦНТП фундаментальных исследований РАН "Квантовая макрофизика" (договор N 25/02) и Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 01-02-16877, 01-02-17203).
  1. Б.М. Гольцман, В.А. Кудинов, И.А. Смирнов. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi-=SUB=-2-=/SUB=-Te-=SUB=-3-=/SUB=-. Наука, М. (1972)
  2. G.R. Muller, Y.L. Che. J. Phys. Chem. Solids 26, 173 (1965)
  3. В.А. Кульбачинский, Н.Е. Клокова, Я. Хорак, П. Лоштак. ФТТ 31, 112 (1989)
  4. С.А. Азоу, В.А. Кульбачинский, Г.А. Миронова, С.Я. Скипидаров. ФТП 24, 283 (1990)
  5. N.B. Brandt, V.A. Kulbachinskii. Semicond. Sci. Technol. 7, 907 (1992)
  6. S. Karamazov, P. Lostak, J. Horak, R. Kuzel. Phys. Stat. Sol. (a) 148, 229 (1995)
  7. В.А. Кульбачинский, А.Н. Чайка, З.М. Дашевский, П. Лоштак, Я. Хорак. ФТТ 37, 1997 (1995)
  8. V.A. Kulbachinskii, Z.M. Dashevskii, M. Inoue, M. Sasaki, H. Negishi, W.X. Gao, P. Lostak, J. Horak, A. De Visser. Phys. Rev. B 52, 10 915 (1995)
  9. В.С. Вавилов, А.Е. Кив, О.Р. Ниязова. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. Наука, М. (1981). 368 с
  10. R. Levy. Bull. Amer. Phys. Soc. 5, 168 (1960)
  11. W. Parker, R. Jenkins. Adv. En. Conv. 2, 87 (1962)
  12. А.Е. Карькин, В.В. Щенников, Б.Н. Гощицкий, С.Е. Данилов, В.Л. Арбузов. ЖЭТФ 113, 1787 (1998)
  13. H.C. Montgomery. J. Appl. Phys. 42, 2971 (1971)
  14. Н.Б. Брандт, Е.П. Скипетров. ФНТ 22, 870 (1996)
  15. В.А. Кутасов, Л.Н. Лукьянова. ФТТ 32, 488 (1990)
  16. V.A. Kulbachinskii, A.Yu. Kaminskii, K. Kindo, Y. Narumi, K. Suga, S. Kawasaki, M. Sasaki, N. Miyajima, G.R. Wu, P. Lostak, P. Hajek. Phys. Stat. Sol. (b) 229, 1467 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.