ФТТ, 2003, том 45, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фононный механизм антиферромагнитного фотогальванического эффекта

В.В.Меньшенин

Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук,
620219 Екатеринбург, Россия
E-mail: menshenin@imp.uran.ru

(Поступила в Редакцию в окончательном виде 14 марта 2003 г.)

Рассмотрен фононный механизм возникновения фотогальванического тока в центроантисимметричных тетрагональных антиферромагнетиках, магнитная симметрия которых не допускает существования тороидного момента. Показано, что причиной появления фототока может быть рассеяние носителей заряда на фононах, поляризация которых отлична от продольной. Поляризация фононов, участвующих в процессах рассеяния, определяется дальнодействующей частью электрон-фононного взаимодействия, вызванной поляризуемостью решетки вследствие наличия магнитоэлектрического эффекта. Указаны условия наблюдения фотогальванического тока в антиферромагнетиках типа \glqq легкая ось\grqq.

 PDF версия (85Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster