Издателям
Вышедшие номера
Фононный механизм антиферромагнитного фотогальванического эффекта
Меньшенин В.В.1
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Email: menshenin@imp.uran.ru
Поступила в редакцию: 14 марта 2003 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.

Рассмотрен фононный механизм возникновения фотогальванического тока в центроантисимметричных тетрагональных антиферромагнетиках, магнитная симметрия которых не допускает существования тороидного момента. Показано, что причиной появления фототока может быть рассеяние носителей заряда на фононах, поляризация которых отлична от продольной. Поляризация фононов, участвующих в процессах рассеяния, определяется дальнодействующей частью электрон-фононного взаимодействия, вызванной поляризуемостью решетки вследствие наличия магнитоэлектрического эффекта. Указаны условия наблюдения фотогальванического тока в антиферромагнетиках типа "легкая ось".
  • Б.И. Стурман, В.М. Фридкин. Фотогальванический эффект. Наука, М. (1992). 208 с
  • В.В. Меньшенин, Е.А. Туров. Письма в ЖЭТФ 72, 1, 23 (2000)
  • А.В. Андрианов, И.Д. Ярощецкий. ФТП 16, 4, 706 (1982)
  • В.И. Белиничер, Б.И. Стурман. ФТТ 20, 3, 821 (1978)
  • В.В. Меньшенин, Е.А. Туров. ЖЭТФ 108, 6( 12), 2061 (1995)
  • Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. Наука, М. (1972). 584 с
  • Дж. Займан. Принципы теории твердого тела. Наука, М. (1974). 472 с
  • Е.А. Туров, В.В. Меньшенин, В.В. Николаев. ЖЭТФ 104, 6( 12), 4157 (1993)
  • А.А. Горбацевич, Ю.В. Копаев, В.В. Тугушев. ЖЭТФ 85, 3( 9), 1107 (1983)
  • Ю.А. Артамонов, А.А. Горбацевич, Ю.В. Копаев. ЖЭТФ 101, 2, 557 (1992)
  • Ю.А. Артамонов, А.А. Горбацевич. ЖЭТФ 89, 3( 9), 1078 (1985)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.