ФТТ, 2003, том 45, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние магнитного поля на туннелирующие системы в стеклах

И.А.Чабан

Федеральное государственное унитарное предприятие \glqq Акустический институт им. акад. Н.Н. Андреева\grqq,
117036 Москва, Россия
E-mail: chaban@akin.ru

(Поступила в Редакцию 29 апреля 2003 г.)

Влияние магнитного поля на двухуровневые туннелирующие системы в диэлектрических стеклах объясняется поворотом ядерных спинов в магнитном поле и вызванной этим поворотом перестройкой упорядоченных областей (кластеров) в структуре стекла. Этим процессом объясняется как наблюдавшееся изменение амплитуды поляризационного спонтанного эха, так и наблюдавшееся изменение диэлектрической постоянной в магнитном поле при низких температурах. Проводится сравнение предлагаемой теории с экспериментом.

Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 03-02-17499).

 PDF версия (116Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster