Вышедшие номера
Влияние магнитного поля на туннелирующие системы в стеклах
Чабан И.А.1
1Федеральное государственное унитарное предприятие "Акустический институт им. акад. Н.Н. Андреева", Москва, Россия
Email: chaban@akin.ru
Поступила в редакцию: 29 апреля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.

Влияние магнитного поля на двухуровневые туннелирующие системы в диэлектрических стеклах объясняется поворотом ядерных спинов в магнитном поле и вызванной этим поворотом перестройкой упорядоченных областей (кластеров) в структуре стекла. Этим процессом объясняется как наблюдавшееся изменение амплитуды поляризационного спонтанного эха, так и наблюдавшееся изменение диэлектрической постоянной в магнитном поле при низких температурах. Проводится сравнение предлагаемой теории с экспериментом. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 03-02-17499).